сотрудник
Иваново, Ивановская область, Россия
Иваново, Ивановская область, Россия
Предложен способ контроля содержания металлов в составе биологических структур, таких как листья растений, образцы тканей животного происхождения, включая кожные покровы человека. В качестве диагностической среды был использован диэлектрический барьерный разряд (ДБР) в воздухе при атмосферном давлении. Показано, что при оптимальном подборе параметров газового разряда он не будет оказывать деструктивного воздействия на ткани биологических структур, а генерация химически активных частиц в плазме будет минимальна. Основную роль при этом играет диэлектрический барьер, отделяющий исследуемый образец от электрода разрядной системы. ДБР возбуждался на частотах, близких к звуковому диапазону (не более 15 кГц), что было обусловлено требованием эмиссии ионной составляющей только из клеток на поверхности исследуемых структур. Выбор такого частотного диапазона возбуждения ДБР диктовался условиями низкого термического действия плазмы атмосферного давления на образцы растительного и животного происхождения.
металлы, катионы, биологические структуры, диэлектрический барьерный разряд
1. Полещенко К.Н., Коротаев Д.Н., Семенюк Н.А., Иванова Е.В., Коденцева Ю.В. Роль инновационных интегрированных структур в развитии высокотехнологичного сектора региональной экономики // Российский экономический журнал. 2023. № 5. С. 80-96. DOI:https://doi.org/10.52210/0130-9757_2023_5_80.
2. Yablokov M.Yu., Gil'man A.B., Strel'tsov D.R., Gaidar A.I., Kuznetsov A.A. Film growth characteristics during plasma polymerization of 1-aminonaphthalene // High Energy Chemistry. 2012. Vol. 46, no. 4. P. 294 295. DOI:https://doi.org/10.1134/S0018143912040170.
3. Kravets L.I., Lizunov N.E., Satulu V., Dinescu G., Gil'man A.B. Preparation of composite membranes by means of plasma polymerization of tiophene // High Energy Chemistry. 2008. Vol. 42, no. 5. P. 391-398. DOI:https://doi.org/10.1134/S001814390805010X.
4. Zhang B., Wang D., Tang J., Wang X., Wei Z., Nie Z., Wang B., Zhang J., Xing G., Zhang W. Ultrafast carrier relaxation dynamics of photoexcited GaAs and GaAs/AlGaAs nanowire array // PCCP: Physical Chemistry Chemical Physics. 2020. Vol. 22, no. 44. P. 25819-25826. DOI:https://doi.org/10.1039/d0cp04250a.
5. Sitanov D.V. Physical aspects of the chemicalyy active medium formation in chlorine plasma under pulsed discharge energization // From Chemistry Towards Technology Step-By-Step. 2023. Vol. 4, no 1. P. 124-135. DOI:https://doi.org/10.52957/27821900_2023_01_124. URL: http://chemintech.ru/index.php/tor/2023-4-1
6. Sitanov D.V., Pivovarenok S.A. Visualization of defects on the semiconductor surface using a dielectric barrier discharge // Russian Microelectronics. 2018. Vol. 47, no. 1. P. 34-39. DOI:https://doi.org/10.1134/S1063739718010067.
7. Gushchin A.A., Grinevich V.I., Izvekova T.V., Kvitkova E.Y., Sulaeva O.Y., Baburina E.M., Rybkin V.V. Water purification to remove naphthalene by treatment with dielectric-barrier discharge in oxygen // High Energy Chemistry. 2022. Vol. 56, no. 3. P. 208-212. DOI:https://doi.org/10.1134/S0018143922020047.
8. Vasilets V.N., Gutsol A., Shekhter A.B., Fridman A. Plasma medicine // High Energy Chemistry. 2009. Vol. 43, no. 3. P. 229-233. DOI:https://doi.org/10.1134/S0018143909030126.
9. Агафонов А.В., Сироткин Н.А., Титов В.А., Хлюстова А.В. Плазменно-растворный синтез слоистых двойных гидроксидов Zn-Al // Неорганические материалы. 2022. Т. 58, № 11. С. 1177-1183. DOI:https://doi.org/10.31857/S0002337X2211001X.
10. Sitanov D.V., Pivovarenok S.A. Kinetics of atomic recombination on silicon samples in chlorine plasma // Plasma Physics Reports. 2018. Vol. 44, no. 8. P. 713-722. DOI:https://doi.org/10.1134/S0367292118080085.
11. Василец В.Н. Плазмохимическое получение оксидов азота в воздушной плазме для медицинских целей // Известия вузов. Химия и химическая технология. 2019. Т. 62, № 5. С. 4-13. DOI:https://doi.org/10.6060/ivkkt.20196205.5958.
12. Подорожний О.В., Румянцев А.В., Волков Р.Л., Боргардт Н.И. Моделирование процессов распыления материала и имплантации галлия при воздействии фокусированного ионного пучка на кремниевую подложку // Известия вузов. Электроника. 2023. Т. 28, № 5. С. 555-568. DOI:https://doi.org/10.24151/1561-5405-2023-28-5-555-568.
